ໃນວັນທີ 5 ມັງກອນ 2026, ພູມສັນຖານວິສະວະກຳໄຟຟ້າໄດ້ປ່ຽນແປງໄປຢ່າງບໍ່ຮູ້ສຶກຕົວ ແຕ່ມີຄວາມໝາຍສຳຄັນ. ໃນລະຫວ່າງການເປີດຕົວຂອງ ເວທີຊຸບເປີຊິບ AI Vera Rubin, Jensen Huang CEO ຂອງ Nvidia ໄດ້ກ່າວເຖິງລາຍລະອຽດໂຄງສ້າງພື້ນຖານທີ່ສຳຄັນທີ່ມັກຖືກມອງຂ້າມໂດຍສື່ມວນຊົນຜູ້ບໍລິໂພກ: ການເພິ່ງພາອາໄສຂອງເວທີດັ່ງກ່າວຕໍ່ Solid State Circuit Breakers (SSCBs) ສຳລັບການປ້ອງກັນລະດັບ rack.
ເກືອບພ້ອມໆກັນ, ການວິເຄາະລະຫັດຂອງ ການອັບເດດແອັບ Tesla v4.52.0 ໄດ້ເປີດເຜີຍເຖິງການອ້າງອີງເຖິງ “AbleEdge,” ເຊິ່ງເປັນ smart breaker logic ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງທີ່ຖືກອອກແບບມາເພື່ອເຊື່ອມໂຍງກັບລະບົບ Powerwall 3+.
ເປັນຫຍັງບໍລິສັດ AI ແລະ ພະລັງງານຊັ້ນນໍາຂອງໂລກຈຶ່ງປະຖິ້ມເຕັກໂນໂລຢີສະວິດກົນຈັກອາຍຸ 100 ປີ? ຄໍາຕອບແມ່ນຢູ່ໃນຟີຊິກຂອງພະລັງງານ DC ແລະຄວາມບໍ່ທົນທານຂອງຊິລິຄອນທີ່ທັນສະໄຫມຕໍ່ກັບຄວາມຜິດປົກກະຕິທາງໄຟຟ້າ. ສໍາລັບວິສະວະກອນ VIOX Electric ແລະຄູ່ຮ່ວມງານຂອງພວກເຮົາໃນຂະແຫນງການແສງຕາເວັນແລະສູນຂໍ້ມູນ, ການຫັນປ່ຽນນີ້ສະແດງເຖິງການປ່ຽນແປງທີ່ສໍາຄັນທີ່ສຸດໃນການປ້ອງກັນວົງຈອນນັບຕັ້ງແຕ່ການປະດິດສ້າງຂອງ ຕົວຕັດວົງຈອນແມ່ພິມ (MCCB).
ບັນຫາຟີຊິກ: ເປັນຫຍັງ Mechanical Breakers ຈຶ່ງລົ້ມເຫລວໃນ DC Grids
ເຄື່ອງຕັດວົງຈອນກົນຈັກແບບດັ້ງເດີມຖືກອອກແບບມາສໍາລັບໂລກກະແສໄຟຟ້າສະຫຼັບ (AC). ໃນລະບົບ AC, ກະແສໄຟຟ້າຜ່ານສູນທໍາມະຊາດ 100 ຫຼື 120 ເທື່ອຕໍ່ວິນາທີ (ທີ່ 50/60Hz). ຈຸດ “zero-crossing” ນີ້ໃຫ້ໂອກາດທໍາມະຊາດທີ່ຈະດັບໄຟຟ້າທີ່ເກີດຂື້ນເມື່ອຫນ້າສໍາຜັດແຍກອອກ.
Direct Current (DC) grids ບໍ່ມີ zero-crossing. ເມື່ອເຄື່ອງຕັດວົງຈອນກົນຈັກພະຍາຍາມຂັດຂວາງການໂຫຼດ DC ແຮງດັນສູງ—ທົ່ວໄປໃນສະຖານີສາກໄຟ EV, ແຜງແສງຕາເວັນ, ແລະ server racks AI—ໄຟຟ້າບໍ່ດັບເອງ. ມັນຮັກສາ, ສ້າງຄວາມຮ້ອນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ (ອຸນຫະພູມ plasma ເກີນ 10,000°C) ທີ່ທໍາລາຍຫນ້າສໍາຜັດແລະສ່ຽງຕໍ່ການເກີດໄຟໄຫມ້.
ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, ເຄື່ອງຕັດວົງຈອນກົນຈັກແມ່ນຊ້າເກີນໄປ. ມາດຕະຖານ ເຄື່ອງຕັດວົງຈອນໄຟຟ້າ DC ແມ່ນອີງໃສ່ແຖບຄວາມຮ້ອນຫຼື coil ແມ່ເຫຼັກເພື່ອ unlatch ກົນໄກພາກຮຽນ spring ທາງດ້ານຮ່າງກາຍ. ເວລາ clearance ກົນຈັກທີ່ໄວທີ່ສຸດແມ່ນປົກກະຕິແລ້ວ 10 ຫາ 20 milliseconds.
ໃນ microgrid DC ຕ່ໍາ inductance (ເຊັ່ນ: ພາຍໃນ server rack ຫຼື EV charger), ກະແສໄຟຟ້າຜິດພາດສາມາດເພີ່ມຂຶ້ນເຖິງລະດັບການທໍາລາຍໃນ ໄມໂຄວິນາທີ. ໃນເວລາທີ່ເຄື່ອງຕັດວົງຈອນກົນຈັກ trips, Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) ທີ່ລະອຽດອ່ອນໃນ inverter ຫຼື silicon ໃນ GPU ອາດຈະຖືກທໍາລາຍແລ້ວ.
Solid State Circuit Breaker (SSCB) ແມ່ນຫຍັງ?
Solid State Circuit Breaker ແມ່ນອຸປະກອນປ້ອງກັນເອເລັກໂຕຣນິກຢ່າງເຕັມທີ່ທີ່ໃຊ້ semiconductors ພະລັງງານເພື່ອດໍາເນີນການແລະຂັດຂວາງກະແສໄຟຟ້າ. ມັນປະກອບດ້ວຍ ບໍ່ມີສ່ວນທີ່ເຄື່ອນຍ້າຍ.
ແທນທີ່ຈະແຍກຫນ້າສໍາຜັດໂລຫະທາງດ້ານຮ່າງກາຍ, SSCB ປັບແຮງດັນປະຕູຂອງ transistor ພະລັງງານ—ປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນ Silicon IGBT, Silicon Carbide (SiC) MOSFET, ຫຼື Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT). ເມື່ອ logic ຄວບຄຸມກວດພົບຄວາມຜິດ, ມັນຈະເອົາສັນຍານ drive ປະຕູອອກ, ບັງຄັບໃຫ້ semiconductor ເຂົ້າໄປໃນສະຖານະທີ່ບໍ່ conductive ເກືອບທັນທີ.
“ຄວາມຕ້ອງການຄວາມໄວ”: Microseconds vs. Milliseconds
ຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ແນ່ນອນຂອງເຕັກໂນໂລຢີ SSCB ແມ່ນຄວາມໄວ.
- Mechanical Breaker Trip Time: ~10,000 ຫາ 20,000 microseconds (10-20ms)
- VIOX SSCB Trip Time: ~1 ຫາ 10 microseconds
ຂໍ້ໄດ້ປຽບຄວາມໄວ 1000x ນີ້ຫມາຍຄວາມວ່າ SSCB ປະສິດທິຜົນ “freeze” ວົງຈອນສັ້ນກ່ອນທີ່ກະແສໄຟຟ້າສາມາດບັນລຸມູນຄ່າທີ່ຄາດໄວ້ສູງສຸດ. ນີ້ເອີ້ນວ່າ current limiting, ແຕ່ໃນລະດັບທີ່ອຸປະກອນກົນຈັກບໍ່ສາມາດບັນລຸໄດ້.
ການວິເຄາະປຽບທຽບ: SSCB vs. ການປ້ອງກັນແບບດັ້ງເດີມ
ເພື່ອເຂົ້າໃຈຕໍາແຫນ່ງຂອງ SSCBs ໃນຕະຫຼາດ, ພວກເຮົາຕ້ອງປຽບທຽບພວກເຂົາໂດຍກົງກັບວິທີແກ້ໄຂທີ່ມີຢູ່ແລ້ວເຊັ່ນ: fuses ແລະ mechanical breakers.
1. Technology Comparison Matrix
| ຄຸນສົມບັດ | ົກ | Mechanical Breaker (MCB/MCCB) | Solid State Circuit Breaker (SSCB) |
|---|---|---|---|
| ກົນໄກການປ່ຽນ | Thermal element melting | Physical contact separation | Semiconductor (IGBT/MOSFET) |
| ເວລາຕອບສະຫນອງ | ຊ້າ (ຂຶ້ນກັບຄວາມຮ້ອນ) | ປານກາງ (10-20ms) | ໄວທີ່ສຸດ (<10μs) |
| ການເກີດປະກາຍໄຟ | ບັນຈຸຢູ່ໃນຮ່າງກາຍຊາຍ / ເຊລາມິກ | Significant Arcing (ຕ້ອງການ arc chutes) | ບໍ່ມີ Arcing (ບໍ່ມີການຕິດຕໍ່) |
| ຣີເຊັດຄວາມສາມາດ | ບໍ່ມີ (ໃຊ້ຄັ້ງດຽວ) | ຄູ່ມືຫຼື Motorized | ອັດຕະໂນມັດ/ຣີໂມດ (ດິຈິຕອລ) |
| ບໍາລຸງຮັກສາ | ປ່ຽນແທນຫຼັງຈາກຄວາມຜິດ | Wear on contacts (ຂໍ້ຈໍາກັດຄວາມທົນທານໄຟຟ້າ) | Zero Wear (ການດໍາເນີນງານທີ່ບໍ່ມີຂອບເຂດ) |
| Intelligence | ບໍ່ມີ | ຈໍາກັດ (ເສັ້ນໂຄ້ງການເດີນທາງແມ່ນຄົງທີ່) | ສູງ (ເສັ້ນໂຄ້ງທີ່ສາມາດຕັ້ງໂປຣແກຣມໄດ້, ຂໍ້ມູນ IoT) |
| ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ | ຕໍ່າ | ຂະຫນາດກາງ | ສູງ |
2. Semiconductor Technology Selection
ປະສິດທິພາບຂອງ SSCB ແມ່ນຂຶ້ນກັບວັດສະດຸ semiconductor ທີ່ຕິດພັນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.
| Semiconductor Type | ແຮງດັດ | ຄວາມໄວການປ່ຽນ | Conduction Efficiency | ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂັ້ນຕົ້ນ |
|---|---|---|---|---|
| Silicon (Si) IGBT | ສູງ (>1000V) | ໄວ | ປານກາງ (ແຮງດັນຕົກ ~1.5V-2V) | ໄດຣຟອຸດສາຫະກໍາ, ການແຈກຢາຍຕາຂ່າຍໄຟຟ້າ |
| ຊິລິຄອນຄາໄບ (SiC) MOSFET | ສູງ (>1200V) | ໄວທີ່ສຸດ | ສູງ (ຕ່ຳ RDS(on)) | ການສາກໄຟ EV, ເຄື່ອງປ່ຽນໄຟຟ້າແສງຕາເວັນ, AI Racks |
| ແກລລຽມໄນໄຕຣ (GaN) HEMT | ກາງ (<650V) | ໄວທີ່ສຸດ | ສູງຫຼາຍ | ເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າ, 48V ໂທລະຄົມ |
| IGCT | ສູງຫຼາຍ (>4.5kV) | ປານກາງ | ປານກາງ | ສາຍສົ່ງ MV/HV |
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ສໍາຄັນທີ່ຂັບເຄື່ອນການຮັບຮອງເອົາ
ສູນຂໍ້ມູນ AI (ກໍລະນີການນໍາໃຊ້ Nvidia)
ກຸ່ມ AI ທີ່ທັນສະໄຫມ, ເຊັ່ນວ່າຜູ້ທີ່ໃຊ້ຊິບ Vera Rubin, ບໍລິໂພກພະລັງງານ Megawatts. ວົງຈອນສັ້ນໃນຫນຶ່ງ rack ສາມາດດຶງແຮງດັນຂອງລົດເມ DC ທົ່ວໄປ, ເຮັດໃຫ້ racks ທີ່ຢູ່ຕິດກັນ reboot - ສະຖານະການທີ່ເອີ້ນວ່າ “ຄວາມລົ້ມເຫຼວ cascading.”
SSCBs ແຍກຂໍ້ບົກພ່ອງຢ່າງໄວວາທີ່ແຮງດັນໄຟຟ້າໃນລົດເມຕົ້ນຕໍບໍ່ຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ເຮັດໃຫ້ສ່ວນທີ່ເຫຼືອຂອງສູນຂໍ້ມູນສືບຕໍ່ຄິດໄລ່ໂດຍບໍ່ມີການຂັດຂວາງ. ນີ້ມັກຈະຖືກເອີ້ນວ່າຄວາມສາມາດ “Ride-Through”.
ການສາກໄຟ EV ແລະ Smart Grids (ກໍລະນີການນໍາໃຊ້ Tesla)
ໃນຂະນະທີ່ພວກເຮົາກ້າວໄປສູ່ ການສາກໄຟສອງທິດທາງ (V2G), ພະລັງງານຕ້ອງໄຫຼທັງສອງທາງ. ເຄື່ອງຕັດກົນຈັກແມ່ນທິດທາງຫຼືຕ້ອງການການຕັ້ງຄ່າທີ່ສັບສົນເພື່ອຈັດການກັບ arcs ສອງທິດທາງ. SSCBs ສາມາດຖືກອອກແບບດ້ວຍ MOSFETs ກັບຄືນໄປບ່ອນເພື່ອຈັດການກັບການໄຫຼຂອງພະລັງງານສອງທິດທາງຢ່າງບໍ່ຢຸດຢັ້ງ. ນອກຈາກນັ້ນ, ຄຸນສົມບັດອັດສະລິຍະ ອະນຸຍາດໃຫ້ breaker ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນເຄື່ອງວັດແທກລະດັບປະໂຫຍດ, ລາຍງານຂໍ້ມູນການບໍລິໂພກໃນເວລາທີ່ແທ້ຈິງໃຫ້ກັບຜູ້ປະກອບການຕາຂ່າຍໄຟຟ້າ.
ລະບົບແສງຕາເວັນ (PV)
ໃນ ການປ້ອງກັນ PV DC, ການຈໍາແນກລະຫວ່າງກະແສໄຟຟ້າໂຫຼດປົກກະຕິແລະຄວາມຜິດຂອງ arc impedance ສູງແມ່ນມີຄວາມຫຍຸ້ງຍາກສໍາລັບ breakers ຄວາມຮ້ອນ - ແມ່ເຫຼັກ. SSCBs ໃຊ້ອາລໍກໍຣິທຶມຂັ້ນສູງເພື່ອນໍາໃຊ້ຮູບແບບຄື້ນໃນປະຈຸບັນ (di/dt) ແລະກວດພົບລາຍເຊັນ arc ທີ່ breakers ຄວາມຮ້ອນພາດ, ປ້ອງກັນໄຟໄຫມ້ມຸງ.
ການດໍານ້ໍາເລິກດ້ານວິຊາການ: ພາຍໃນ VIOX SSCB
SSCB ບໍ່ແມ່ນພຽງແຕ່ສະຫຼັບ; ມັນເປັນຄອມພິວເຕີທີ່ມີຂັ້ນຕອນພະລັງງານ.
- ສະຫຼັບ: Matrix ຂອງ SiC MOSFETs ໃຫ້ເສັ້ນທາງການຕໍ່ຕ້ານຕ່ໍາສໍາລັບປະຈຸບັນ.
- Snubber/MOV: ເນື່ອງຈາກວ່າການໂຫຼດ inductive ຕໍ່ສູ້ກັບການຢຸດປະຈຸບັນຢ່າງກະທັນຫັນ (ແຮງດັນ = L * di/dt), Metal Oxide Varistor (MOV) ຖືກວາງຂະຫນານເພື່ອດູດຊຶມພະລັງງານ flyback ແລະ clamp voltage spikes.
- ສະຫມອງ: ໄມໂຄຄອນໂທລເລີຕົວຢ່າງປະຈຸບັນແລະແຮງດັນໄຟຟ້າໃນຄວາມຖີ່ megahertz, ປຽບທຽບພວກເຂົາກັບໂປຣແກຣມ ເສັ້ນໂຄ້ງການເດີນທາງ.
ສິ່ງທ້າທາຍຄວາມຮ້ອນ
ຂໍ້ເສຍຕົ້ນຕໍຂອງ SSCBs ແມ່ນ ການສູນເສຍການນໍາ. ບໍ່ເຫມືອນກັບການຕິດຕໍ່ກົນຈັກທີ່ມີຄວາມຕ້ານທານໃກ້ສູນ, semiconductors ມີ “ຄວາມຕ້ານທານໃນສະຖານະ” (RDS(on)).
- ຕົວຢ່າງ: ຖ້າ SSCB ມີຄວາມຕ້ານທານ 10 milliohms ແລະປະຕິບັດ 100A, ມັນສ້າງ I2R ການສູນເສຍ: 1002 × 0.01 = 100 ວັດຂອງຄວາມຮ້ອນ.
ນີ້ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີຄວາມເຢັນຢ່າງຫ້າວຫັນຫຼື heatsinks ຂະຫນາດໃຫຍ່, ເຊິ່ງມີຜົນກະທົບຕໍ່ຮອຍຕີນທາງດ້ານຮ່າງກາຍເມື່ອທຽບກັບ ຂະຫນາດ breaker ມາດຕະຖານ.
ຍຸດທະສາດການນໍາໃຊ້ສໍາລັບຜູ້ຕິດຕັ້ງ
ສໍາລັບ EPCs ແລະຜູ້ຕິດຕັ້ງທີ່ຊອກຫາການເຊື່ອມໂຍງເຕັກໂນໂລຢີ SSCB, ພວກເຮົາແນະນໍາໃຫ້ໃຊ້ວິທີການປະສົມໃນໄລຍະການປ່ຽນແປງນີ້.
3. Application Triage Matrix
| ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ | ການປ້ອງກັນທີ່ແນະນຳ | ເຫດຜົນ |
|---|---|---|
| Grid Main Entrance (AC) | ກົນຈັກ / MCCB | ກະແສໄຟຟ້າສູງ, ຄວາມຖີ່ຂອງການປ່ຽນຕ່ໍາ, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທີ່ແກ່. |
| Solar String Combiner (DC) | Fuse / DC MCB | ຄວາມຕ້ອງການການປົກປ້ອງງ່າຍດາຍ, ລະອຽດອ່ອນຕໍ່ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ. |
| ການເກັບຮັກສາຫມໍ້ໄຟ (ESS) | SSCB ຫຼື Hybrid | ຕ້ອງການການປ່ຽນສອງທິດທາງໄວແລະການຫຼຸດຜ່ອນ arc flash. |
| EV Fast Charger (DC) | SSCB | ຄວາມປອດໄພທີ່ສໍາຄັນ, ແຮງດັນໄຟຟ້າ DC ສູງ, ການປ່ຽນຊ້ໍາ. |
| ໂຫຼດທີ່ລະອຽດອ່ອນ (Server/Medical) | SSCB | ຕ້ອງການການປ້ອງກັນໃນລະດັບ microseconds ເພື່ອປົກປ້ອງອຸປະກອນ. |
ທ່າອ່ຽງໃນອະນາຄົດ: ເຄື່ອງຕັດໄຟຟ້າແບບປະສົມ (Hybrid Breaker)
ໃນຂະນະທີ່ SSCBs ທີ່ເປັນແບບບໍລິສຸດແມ່ນເໝາະສົມສຳລັບແຮງດັນໄຟຟ້າຕ່ຳ/ປານກາງ, ເຄື່ອງຕັດວົງຈອນປະສົມ ກຳລັງເກີດຂື້ນສຳລັບການນຳໃຊ້ພະລັງງານທີ່ສູງຂື້ນ. ອຸປະກອນເຫຼົ່ານີ້ລວມເອົາສະວິດກົນຈັກສຳລັບການນຳກະແສໄຟຟ້າທີ່ມີການສູນເສຍຕ່ຳ ແລະ ສາຂາ solid-state ຂະໜານສຳລັບການປ່ຽນສະວິດທີ່ບໍ່ມີປະກາຍໄຟ. ນີ້ສະເໜີ “ສິ່ງທີ່ດີທີ່ສຸດຂອງທັງສອງໂລກ”: ປະສິດທິພາບຂອງໜ້າສຳຜັດກົນຈັກ ແລະ ຄວາມໄວ/ການເຮັດວຽກທີ່ບໍ່ມີປະກາຍໄຟຂອງ semiconductors.
ເນື່ອງຈາກຕົ້ນທຶນການຜະລິດ Silicon Carbide ຫຼຸດລົງ (ຂັບເຄື່ອນໂດຍອຸດສາຫະກຳ EV), ຄວາມເທົ່າທຽມກັນຂອງລາຄາລະຫວ່າງ MCCBs ເອເລັກໂຕຣນິກລະດັບສູງ ແລະ SSCBs ຈະແຄບລົງ, ເຮັດໃຫ້ພວກມັນເປັນມາດຕະຖານສຳລັບ ການປ້ອງກັນການສາກໄຟ EV ເພື່ອການຄ້າທຽບກັບທີ່ຢູ່ອາໄສ.
FAQ
ຄວາມແຕກຕ່າງຕົ້ນຕໍລະຫວ່າງ SSCB ແລະ ເຄື່ອງຕັດວົງຈອນແບບດັ້ງເດີມແມ່ນຫຍັງ?
ຄວາມແຕກຕ່າງຕົ້ນຕໍແມ່ນກົນໄກການປ່ຽນສະວິດ. ເຄື່ອງຕັດໄຟຟ້າແບບດັ້ງເດີມໃຊ້ໜ້າສຳຜັດກົນຈັກທີ່ເຄື່ອນທີ່ເຊິ່ງແຍກອອກຈາກກັນທາງກາຍະພາບເພື່ອຕັດວົງຈອນ, ໃນຂະນະທີ່ SSCBs ໃຊ້ power semiconductors (transistors) ເພື່ອຢຸດການໄຫຼຂອງກະແສໄຟຟ້າທາງເອເລັກໂຕຣນິກໂດຍບໍ່ມີພາກສ່ວນທີ່ເຄື່ອນທີ່.
ເປັນຫຍັງ SSCBs ຈຶ່ງໄວກວ່າເຄື່ອງຕັດວົງຈອນກົນຈັກ?
ເຄື່ອງຕັດໄຟຟ້າກົນຈັກຖືກຈຳກັດໂດຍ inertia ທາງກາຍະພາບຂອງສະປິງ ແລະ ສະລັກ, ໃຊ້ເວລາ 10-20 milliseconds ເພື່ອເປີດ. SSCBs ເຮັດວຽກດ້ວຍຄວາມໄວຂອງການຄວບຄຸມການໄຫຼຂອງເອເລັກໂຕຣນິກ, ຕອບສະໜອງຕໍ່ສັນຍານ gate ໃນ microseconds (1-10μs), ເຊິ່ງໄວກວ່າປະມານ 1000 ເທົ່າ.
ເຄື່ອງຕັດວົງຈອນໄຟຟ້າສະຖານະແຂງ ເໝາະສົມສຳລັບລະບົບໂຊລາເຊວບໍ?
ແມ່ນແລ້ວ, ພວກມັນເໝາະສົມສຳລັບ DC solar strings. ພວກມັນກຳຈັດ ຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການເກີດປະກາຍໄຟ DC ທີ່ມີຢູ່ໃນສະວິດກົນຈັກ ແລະ ສາມາດສະໜອງຄວາມສາມາດໃນການກວດຈັບ arc-fault (AFCI) ຂັ້ນສູງທີ່ເຄື່ອງຕັດໄຟຟ້າ thermal-magnetic ແບບດັ້ງເດີມບໍ່ສາມາດທຽບໄດ້.
ຂໍ້ເສຍຂອງ SSCBs ແມ່ນຫຍັງ?
ຂໍ້ເສຍຕົ້ນຕໍແມ່ນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍເບື້ອງຕົ້ນທີ່ສູງກວ່າ ແລະ ການສູນເສຍພະລັງງານຄົງທີ່ (ການສ້າງຄວາມຮ້ອນ) ໃນລະຫວ່າງການເຮັດວຽກເນື່ອງຈາກຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນຂອງ semiconductors. ນີ້ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີ heat sinks ແລະ ການອອກແບບການຈັດການຄວາມຮ້ອນຢ່າງລະມັດລະວັງ.
SSCBs ມີອາຍຸການໃຊ້ງານດົນປານໃດເມື່ອທຽບກັບເຄື່ອງຕັດໄຟຟ້າກົນຈັກ?
ເນື່ອງຈາກພວກມັນບໍ່ມີພາກສ່ວນທີ່ເຄື່ອນທີ່ທີ່ຈະສວມໃສ່ ແລະ ບໍ່ສ້າງປະກາຍໄຟຟ້າເພື່ອເຊາະເຈື່ອນໜ້າສຳຜັດ, SSCBs ມີອາຍຸການໃຊ້ງານທີ່ບໍ່ມີຂອບເຂດຈຳກັດສຳລັບຮອບການປ່ຽນສະວິດ, ໃນຂະນະທີ່ເຄື່ອງຕັດໄຟຟ້າກົນຈັກໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນຖືກຈັດອັນດັບສຳລັບ 1,000 ຫາ 10,000 ການເຮັດວຽກ.
SSCBs ຕ້ອງການຄວາມເຢັນພິເສດບໍ?
ແມ່ນແລ້ວ, ໂດຍທົ່ວໄປ. ເນື່ອງຈາກ semiconductors ສ້າງຄວາມຮ້ອນເມື່ອກະແສໄຟຟ້າໄຫຼຜ່ານພວກມັນ (I2R losses), SSCBs ປົກກະຕິແລ້ວຕ້ອງການ passive aluminum heatsinks, ແລະ ສຳລັບການນຳໃຊ້ກະແສໄຟຟ້າສູງຫຼາຍ, ພວກມັນອາດຈະຕ້ອງການພັດລົມເຮັດຄວາມເຢັນແບບ active ຫຼື ແຜ່ນເຮັດຄວາມເຢັນດ້ວຍນໍ້າ.
